车规级功率半导体模块封装项目正式开工。

　　本次开工项目计划总投资10亿元，占地62亩，规划建筑面积约11.2万平米，将建设现代化封装生产线及配套设施。项目聚焦车规级框架式、塑封式IGBT模块，SiC MOSFET模块等第三代半导体产品，对标国际标杆，产品技术指标直追国际领先水平，可实现进口替代。

　　据了解，项目全面达产后，预计形成年产7500万只高端功率模块的产能，年销售额可达10亿元。技术层面，扬杰科技明确对标国际标杆企业，目标将产品技术指标提升至接近国际领先水平，重点突破车规级SiC MOSFET模块的可靠性、耐高温及高效率等关键性能。

　　相关资料显示，扬杰科技集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件设计、制造、封装测试等中高端领域的产业发展。公司主营产品主要分为三大板块，具体包括材料板块（单晶硅棒、硅片、外延片）、晶圆板块（5吋、6吋、8吋硅基及6吋碳化硅等各类电力电子器件芯片）及封装器件板块（MOSFET、IGBT、SiC系列产品、整流器件、保护器件、小信号及其他产品系列）。产品广泛应用于汽车电子、人工智能、清洁能源、5G通讯、智能安防、工业、消费类电子等诸多领域，为客户提供一站式产品、技术、服务解决方案。

　　扬杰科技2024年年报显示，公司实现营业收入60.33亿元，同比增长11.53%；归属于上市公司股东的净利润为10.02亿元，同比增长8.5%。尽管营收和净利润均实现增长，但净利润增速明显放缓，显示出公司在市场竞争和技术创新方面面临的压力。

　　公司虽然在新能源汽车、人工智能、光伏储能等领域取得了显著进展，但半导体行业的激烈竞争和快速变化的技术环境，使得公司在保持市场份额和盈利能力方面面临巨大压力。特别是随着全球半导体行业的复苏，竞争对手的增多和技术的快速迭代，扬杰科技必须持续加大研发投入，以保持技术领先地位。

　　2024年，扬杰科技研发费用占营业收入的比重超过7%，新产品领域的投入占比更是超过10%，创下新高。公司在第三代半导体芯片、SiC功率器件等领域的研发投入显著增加，尤其是在SiC芯片和模块产品方面取得了重要突破。然而，尽管研发投入增加，公司在技术创新和市场应用方面的表现仍需进一步提升。

　　报告期内，公司联合相关公司参与了工信部《2024年大尺寸高质量氧化镓单晶衬底项目》，负责氧化镓SBD器件制备，这是公司在技术实力与行业影响力方面的重要里程碑。然而，技术的快速迭代和市场需求的变化，要求公司必须持续加大研发力度，以应对未来的技术挑战。

　　扬杰科技在全球化布局方面取得了显著进展，特别是在越南工厂的建设与投产，标志着公司在积极开拓国际市场、加速全球化进程上迈出了坚实的一步。报告期内，MCC（越南）工厂一期正式通线量产，首批两个封装产品良率高达99.5%以上。二期项目也已经启动，预计于2025年6月份实现量产。

　　然而，尽管公司在全球化布局方面取得了进展，但国际政治经济环境的不确定性，仍然对公司的国际市场供应和产品价格造成影响。特别是在全球半导体供应链紧张和地缘政治风险增加的背景下，公司必须加强供应链管理和风险控制，以确保业务的稳定发展。

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